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台积电1,4月宣布XNUMXnm芯片研发

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处理器制造商从不停止基础和应用研发,所以现在台积电台积电 (TSMC) 为其 N2(2nm 级)制造工艺设定了 2025 年进入多批量制造 (HVM) 的时间表,现在是该公司考虑其下一个工艺的时候了。 如果相信新的谣言,台积电将在 1,4 月正式宣布其 XNUMX 纳米级技术。

因此,据Business Korea报道,台积电计划在3月将开发其N3节点(1,4nm级)的团队转移到1,4nm级制造工艺的开发中。 一般来说,代工厂和芯片制造商从不正式宣布里程碑,因此我们不太可能看到台积电发布新闻稿称其 2 纳米芯片的开发已经开始。 与此同时,台积电定于 XNUMX 月中旬举行技术研讨会,届时该公司可能会透露一些有关将取代 NXNUMX 制造工艺的节点的简要细节。

TSMC

标准工艺设计流程包括寻路、研发等阶段。 寻路涉及诸如材料和物理基础研究之类的事情,并且在许多情况下它是在许多芯片上同时完成的。 目前,台积电的2nm寻路可能已经结束,所以基础物理和化学的相关小组正在研究2nm的后续产品,可以称为1,4nm或14埃。

台积电的 2nm 基于栅极场效应晶体管 (GAAFET),但将使用现有的极紫外 (EUV) 光刻技术,其数值孔径为 0,33(0,33 NA)。 鉴于我们今天所知道的台积电 2nm 的细节,它的继任者可能会保留 GAA 晶体管,但它是否会切换到数值孔径为 0,55 的 EUV 工具还有待观察。

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