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美光科技宣布開始量產並交付採用該製造商最先進製程 - 16β（5-beta）製造的 1GB DDR1 記憶體晶片。 在此記憶體的基礎上，可以為伺服器和個人電腦創建速度高達 7200 MT/s 的 RAM 模組。
公司 宣布，與上一代記憶體相比，過渡到採用先進 High-K CMOS 技術、四相時脈頻率調節和時脈同步的 1β 工藝，性能提高了 50%，每瓦能效提高了 33% 。
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隨著 CPU 核心數量的增加以滿足資料中心工作負載不斷增長的需求，對更高頻寬記憶體的需求也顯著增加。 基於美光5β 製程的高達7200 MT/s DDR1 DRAM 記憶體可實現具有更高效能的可擴展運算，適用於資料處理中心和資料處理中心的人工智慧(AI) 學習與整合、生成式AI、資料分析和記憶體資料庫(IMDB) 等領域。在客戶端平台上。
美光的新記憶體晶片有 16、24 和 32 Gbit（2、3 和 4 GB）容量，運行速度為 4800 至 7200 MT/s。 新記憶體將在伺服器和消費領域提供。 製造商指出，美光計畫將先進 1β 製程的使用擴展到 LPDDR5x、GDDR7 甚至 HBM3e 記憶體晶體的生產。
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