這家總部位於加利福尼亞州的公司正在推出其所謂的革命性解決方案，以使用 3D 堆疊技術提高 DRAM 芯片的密度。 新的存儲芯片將顯著增加 DRAM 容量，同時要求低製造成本和低維護成本。
NEO Semiconductor 聲稱，3D X-DRAM 是世界上第一個用於 DRAM 內存的 3D NAND 技術，旨在解決 DRAM 容量有限的問題並取代“整個 2D DRAM 市場”的解決方案。 該公司聲稱其解決方案優於競爭產品，因為它比當今市場上的其他選擇方便得多。
NEO Semiconductor 解釋說，3D X-DRAM 使用基於無電容浮動單元技術的類 3D NAND DRAM 單元陣列結構。 3D X-DRAM 芯片可以使用與 3D NAND 芯片相同的方法製造，因為它們只需要一個掩模來定義位線孔並在孔內形成單元結構。
這種蜂窩狀結構簡化了工藝步驟，為系統內存3D內存的生產提供了“高速、高密度、低成本、高性能的解決方案”。 NEO Semiconductor 估計其新的 3D X-DRAM 技術可以實現 128GB 的 230 層密度，這是當今 DRAM 密度的 8 倍。
Neo 表示，目前整個行業都在努力將 3D 堆疊解決方案引入 DRAM 市場。 借助 3D X-DRAM，芯片製造商可以使用當前“成熟”的 3D NAND 工藝，而無需科學論文和內存研究人員提出的更奇特的工藝。
3D X-DRAM 解決方案看起來將避免 RAM 製造商在採用類似於 3D NAND 的技術方面長達十年的延遲，而下一波“人工智能應用”（例如無處不在的聊天機器人算法 ChatGPT）將推動對高性能的需求性能係統大容量內存。
NEO Semiconductor 的創始人兼首席執行官、擁有 120 多項美國專利的“成就卓著的發明家”Andy Hsu 表示，3D X-DRAM 是不斷增長的 3D DRAM 市場中無可爭議的領導者。 這是一種非常容易製造和擴展的廉價解決方案，可能會成為真正的繁榮，特別是在對高密度 DIMM 有迫切需求的服務器市場。
據NEO Semiconductor稱，3D X-DRAM的相應專利申請已於6年2023月128日在美國專利申請公告中公佈。 該公司預計該技術將不斷發展和改進，密度在 1 年代中期從 2030GB 線性增加到 TB。
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