前幾天，部門副總裁 Samsung 來自代工晶片製造商 Jeon Gi-tae 接受 The Elec 出版物採訪時 報導未來的製程流程SF1.4（1,4奈米級）中，電晶體的通道數將從個增加到個，這將在性能和能耗方面帶來切實的優勢。 這將在英特爾推出類似晶體管三年後發生，這將迫使 Samsung 趕上競爭對手。
公司 Samsung 是第一個生產閘極完全包圍電晶體通道的電晶體（SF3E）的公司。 這發生在一年多前，並且選擇性地使用。 例如，這種3奈米製程用於生產加密貨幣礦工的晶片。 新技術製程中晶體管中的通道是薄奈米片，一層一層地放置。 在電晶體中 Samsung 三個這樣的通道，其四個側面都被閘極包圍，因此電流在精確控制下流過它們，洩漏最小。
相反，英特爾將於 2024 年開始使用 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) 技術製程生產首款具有奈米片通道的電晶體。 從一開始，它們每個都有四個奈米片通道。 這意味著英特爾的 GateGAA 電晶體將比同類電晶體更有效率 Samsung，將能夠通過更高的電流，並且比韓國競爭對手的晶體管更加節能。 它將持續大約三年，直到 Samsung 預計將於 1.4 年開始生產採用 SF2027 技術製程的晶片。如現在所知，它們也將變成「四葉」——它們將分別接收四個通道，而不是今天的三個。
是否會是另一回事 Samsung 在可製造性方面實際上落後於英特爾嗎？ 屆時，這家韓國公司在GAA電晶體的量產方面將擁有五年的經驗，而英特爾仍將是一個新來者。 隨著這種晶體管的生產，一切都不容易，因為 Samsung 非常非常有選擇性地使用這種技術流程。 無論如何，向新電晶體架構的過渡將是半導體產業的重大突破，並將有可能突破傳統半導體生產在未來幾年內不再處於進步前沿的障礙。
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