Root Nation訊息資訊科技資訊Samsung ARM 將製造頻率為 7 GHz 的 3nm 芯片

Samsung ARM 將製造頻率為 7 GHz 的 3nm 芯片

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公司 Samsung 宣布擴大與 ARM 的合作夥伴關係。 該聯盟打算將使用 7 納米和 5 納米 FinFET 技術工藝製造的第一批芯片推向市場。 同時,它們將以 3 GHz 或更高的頻率工作。

報告了什麼

這些芯片將基於下一代 Cortex-A76 內核。 不出所料,7納米工藝 Samsung 7LPP(7nm,Low Power Plus)將於今年下半年量產。

Samsung

這將是第一個使用紫外線的工藝過程。 Samsung 將在硬紫外範圍 (EUV) 為其生產光刻。 下一個工藝流程 5LPE 將是 7LPP 的發展,將允許減小晶體的尺寸,並降低能源消耗。

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新的 Cortex-A76 內核應該會取代 Cortex-A75。 如前所述,它在生產力方面超過了“七十五”35%,在能源效率方面超過了 40%。 此外,機器學習任務的性能翻了兩番。 並且相比Cortex-A73,提升幅度將達到50-150%。 有時優勢會增加一個數量級。

何時等待

預計首批基於 ARM Cortex-A76 的單芯片系統將於 2019 年面世。 這意味著基於它們的現成設備只能在明年年底或 2020 年初發布。

同時,我們注意到頻率的增加將需要對冷卻系統進行認真的修改。 它還會對電池的“壽命”產生負面影響。 然而, Samsung 從事固態電池研究一年多了。 也許新芯片的發布將是它們推向市場的原因。

有一件事是明確的——該公司打算通過新的技術流程改變移動解決方案市場的力量平衡。 我們正在等待高通和聯發科的回應。

資源: Samsung

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