Samsung 宣布開始量產採用業界最先進16納米級工藝的5G DDR12 DRAM內存。 最現代化的生產流程的完成再次印證了公司的領導能力 Samsung 在先進的 DRAM 技術領域。
與上一代相比，新的RAM Samsung 5 納米級 DDR12 DRAM 可將功耗降低 23%，同時將晶圓性能提高 20%。 出色的能效使其成為尋求降低其服務器和數據中心的能源消耗和碳足蹟的全球 IT 公司的理想解決方案。
發展 Samsung 12 nm 工藝技術通過使用具有高導電性的新材料成為可能，這有助於增加電池的容量。 高電容導致數據信號中存在顯著的電位差，從而更容易準確地區分它們。 該公司在降低工作電壓和噪音方面所做的努力也有助於創建客戶所需的最佳解決方案。
三星的 7,2 納米 DDR30 DRAM 產品線的最高速度為每秒 5 吉比特，這意味著可以在大約一秒鐘內處理兩部 12GB 超高清電影，它將支持越來越多的應用程序，包括數據中心、人工智能和下一代計算。
去年 16 月，三星完成了其 5 GB DDR DRAM 與 AMD 兼容性的測試，並繼續與全球 IT 公司合作，推動下一代 DRAM 市場的創新。
另請閱讀：