Samsung 電子產品 推出業界最大容量的12nm DDR5 DRAM 32Gb內存芯片，據稱該芯片非常適合人工智能時代。 在此之前，該公司只能通過將 32 Gbit 晶體逐一通過 TSV 安裝來生產 16 Gbit 芯片。 與 32 Gb 芯片採用同一封裝的“一體式”5 Gb DDR16 芯片的發布將減少功耗，並為前景光明的 1 TB 內存模塊開闢道路。
據估計 Samsung，容量加倍的DDR5芯片將使10GB DDR128模塊的功耗降低5%。 有趣的是，該公司最近於今年 12 月宣布開始生產 16 nm 5 Gbit DDR32 DRAM。 當前的公告並不意味著立即開始大規模生產 32 Gbit 芯片。 該公司承諾今年年底才會開始生產。 將批量供應的芯片容量提高到 5 GB 將使內存製造商能夠轉向發布容量為 64 GB 的大容量 DDR1 模塊和容量高達 TB 的服務器型號。
“通過製造 12nm 32Gb 級 DRAM，我們提供了一種解決方案，能夠生產高達 1TB 的 DRAM 模塊，這為我們提供了絕佳的機會來滿足人工智能和大數據時代對大容量 DRAM 不斷增長的需求。 Sun 表示：“數據。”該公司DRAM 產品與技術部門執行副總裁Jun Hwang Samsung 電子產品。 “我們將繼續開發基於差異化製造工藝和設計技術的 DRAM 解決方案，以突破內存技術的界限。”
目前，SK海力士和美光等內存製造商僅提供24Gb DDR5芯片，允許海量模塊高達96GB，但 Samsung 將容量提升一個檔次，提供第三種更密集的解決方案。 不過，美光還在其路線圖中確認了 5Gb DDR32 芯片的開發工作，儘管尚未正式宣布。
對於他的故事 Samsung 將 RAM 限制擴大了 500 倍。 該公司於 64 年推出了第一款 (1983 Kbit) 存儲器。 在過去的40年裡，它使微電路的容量增加了令人難以置信的倍數，這在當時很少有人能想到。
另請閱讀：