Samsung 剛剛在開髮用於 PC 和移動設備的新一代 RAM 方面達到了一個重要的里程碑。 該公司交付了第一批基於極紫外工藝的 4 納米級 DDR10 DRAM 模塊。 下一代光刻技術應該會有所幫助 Samsung 克服 DRAM 擴展的障礙，這將減少開發時間並提高性能。
但不要指望基於 EUV 的 RAM 很快就會無處不在。 在 Samsung 直到 2020 年下半年才會有另一家工廠生產芯片，製造商預計要到 5 年才能開始批量生產速度更快的 DDR2021 內存。 這更像是對 RAM 未來的展望，而不是現在的現成解決方案。