Samsung 今天宣布開始大規模生產據信是 236 層 8D NAND 存儲器，該公司稱之為第 2400 代 V-NAND。 新芯片的數據傳輸速率為 12 Mbit/s，結合改進的控制器，它們可以創建數據傳輸速率超過 Gbit/s 的客戶端級固態驅動器。
新的第 8 代 V-NAND 設備容量為 1 TB (128 GB)， Samsung 聲稱業界最高的位密度，但未透露芯片尺寸或實際密度。 該芯片還具有 2400 Mbps 的數據傳輸速率，這對於最好的 PCIe 5.0 x4 固態驅動器至關重要，當與適當的控制器配合使用時，可提供 12,4 Gbps（或更高！）的閃電般的數據傳輸速度。
Samsung 聲稱與現有相同容量的閃存接口相比，新一代 3D NAND 存儲器將提供 20% 的更高性能，這將降低公司的成本（假設性能相同），這可能意味著固態驅動器的價格更低。
同時，該公司並未透露該設備的架構，但根據提供的圖像，我們可以假設它是一個雙平面 3D NAND 芯片。
“隨著市場對更密集、更高容量的存儲驅動器的需求增加了 V-NAND 層的數量， Samsung 執行副總裁 SongHoi Hur 表示，應用其先進的 3D 縮放技術來減少表面積和高度，同時避免通常在按比例縮小時發生的細胞間干擾 Samsung 關於閃存和技術的電子產品。 “我們的第八代 V-NAND 將有助於滿足快速增長的市場需求，並使我們能夠更好地提供更多差異化的產品和解決方案，為未來的存儲創新奠定基礎。”
Samsung 尚未宣布任何基於第 8 代 V-NAND 內存的實際產品，但我們可以假設第一批設備將專注於客戶端應用程序。
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