Samsung 電子產品 由於 DRAM 製造方面的突破，打算在單個模塊中發布 1 TB DDR5 內存。
韓國公司 發達 內存行業首款最高容量的32GB DDR5 RAM，採用12nm工藝。 多虧了這個 Samsung 將能夠生產 5TB DDR1 內存模塊，但轉向 32GB DRAM 還有另一個好處。 與現有採用5nm工藝製造的16GB DDR12 DRAM模塊相比，128GB模塊的功耗將降低10%。
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DRAM 產品和技術副總裁 Sang-Joon Hwan 表示 Samsung 電子產品，最初這種內存的主要消費者將是數據中心、人工智能和大數據：“得益於我們的 32 nm 級 12 GB DRAM 內存，我們獲得了一種解決方案，使我們能夠創建具有容量高達1 TB，這將使我們能夠滿足AI（人工智能）和大數據時代對大容量RAM 不斷增長的需求……我們將繼續使用差異化的製造工藝和技術來開發DRAM 解決方案突破內存技術界限的設計技術。”
在更小的空間中提供更多的內存以及更低的功耗始終受到數據中心運營商的歡迎。 然而，這種內存技術最終應該會遷移到我們的台式電腦和筆記本電腦中使用的 DDR5 模塊。 目前，由四個模塊組成的 192 GB 內存套件似乎是消費者的最高級別。
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