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Samsung 電子產品是一個技術巨頭，它決定了電子產品的發展趨勢。 Galaxy智能手機是該公司在顯示器、硬件、電池等方面取得成就的一個很好的例子。 然而，經營戰略 Samsung 不僅限於移動設備。
該公司的下一個令人印象深刻的項目涉及開發業界首款基於 High-K Metal Gate (HKMG) 技術的 512 GB DDR5 內存模塊。 這種生產技術將保證 DDR4 RAM 的性能提高一倍，達到 7200 Mbit/s。
新一代RAM DDR5來自 Samsung 考慮到超級計算機、人工智能和機器學習系統以及處理研究數據庫的特定需求而開發。
目前 Samsung 是唯一一家擁有整合HKMG製造DRAM內存所需資源和能力的製造商。 傳統上，這項技術用於製造半導體，但現在可以生產 DDR5 RAM。 Samsung 承諾不僅性能更高，而且能耗降低兩位數。
測試表明，採用 HKMG 技術的基於 DDR5 的數據中心全速運行，功耗降低了約 15%。 任何減少所需能源的優化對於服務器配置都是至關重要的。
HKMG 工藝於 6 年首次用於 GDDR2018 內存的創建。 該公司現在正在將這一創新工藝的功能擴展到 DDR5 RAM。 在這種情況下，“槽矽通孔”（TSV）技術允許您放置八層 16 Gb DRAM，總容量為 512 GB。
好吧，現在 Chrome 絕對夠用了。
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