Bu gözlənilir Samsung Yonhap News xəbər verir ki, gələn həftə 3nm çiplərin kütləvi istehsalına başlanacağını elan edəcək. Bu, şirkəti bu ilin ikinci yarısında 3 nanometrlik çiplərin istehsalına başlaması gözlənilən TSMC-ni qabaqlayır.
5nm proseslə müqayisədə (Snapdragon 888 və Exynos 2100 üçün istifadə edilib) Samsungun 3nm node sahəsi 35% azaldacaq, performansı 30% artıracaq və enerji istehlakını 50% azaldacaq.
Buna Gate-All-Around (GAA) tranzistor dizaynına keçidlə nail olunacaq. Bu, FinFET-dən sonra növbəti addımdır, çünki bu, tranzistorların cərəyan keçirmə qabiliyyətini itirmədən ölçüsünü azaltmağa imkan verir. 3nm node üzərində istifadə edilən GAAFET dizaynı aşağıdakı şəkildə göstərilmişdir.
ABŞ prezidenti Co Bayden keçən ay zavoda baş çəkib Samsung Pyeongtaekdə 3nm texnologiyasının nümayişində iştirak etmək Samsung. Keçən il şirkətin Texasda 10 nanometrlik tökmə zavodunun tikintisinə 3 milyard dollar sərmayə qoya biləcəyi ilə bağlı şayiələr yayılmışdı. Bu investisiyalar 17 milyard dollara çatıb.Zavodun 2024-cü ildə fəaliyyətə başlaması gözlənilir.
Hər halda, yeni bir node yaratarkən ən böyük narahatlıq çıxışdır. Keçən ilin oktyabrında Samsung 3nm prosesinin performansının "4nm prosesi ilə eyni səviyyəyə yaxınlaşdığını" ifadə etdi. Şirkət rəsmi rəqəmlər təqdim etməsə də, analitiklər hesab edirlər ki, 4 nm node Samsung istehsal problemləri ilə bağlı idi.
3-cü ildə ikinci nəsil 2023nm node gözlənilir və şirkətin yol xəritəsinə 2-ci ildə 2025nm MBCFET əsaslı qovşaq da daxildir.
Siz Ukraynaya rus işğalçılarına qarşı mübarizədə kömək edə bilərsiniz. Bunun ən yaxşı yolu Ukrayna Silahlı Qüvvələrinə pul köçürməkdir Savelife və ya rəsmi səhifə vasitəsilə NBU.
Həmçinin oxuyun:
- Baxış-icmal Samsung Galaxy S21 FE 5G: indi mütləq fanat flaqmanıdır
- Baxış-icmal Samsung Galaxy Tab S7 FE: Təəccüblü dərəcədə ağıllı bir kompromis