Очаква се, че Samsung ще обяви началото на масовото производство на 3n чипове следващата седмица, съобщава Yonhap News. Това поставя компанията пред TSMC, която се очаква да започне производството на 3nm чипове през втората половина на тази година.
В сравнение с 5nm процес (който беше използван за Snapdragon 888 и Exynos 2100), 3nm възелът на Samsung ще намали площта с 35%, ще повиши производителността с 30% и ще намали консумацията на енергия с 50%.
Това ще бъде постигнато чрез преминаване към Gate-All-Around (GAA) транзисторен дизайн. Това е следващата стъпка след FinFET, тъй като позволява да се намали размерът на транзисторите, без да се компрометира способността им да провеждат ток. Дизайнът на GAAFET, използван на 3nm възел, е показан на фигурата по-долу.
Президентът на САЩ Джо Байдън посети завода миналия месец Samsung в Pyeongtaek, за да участват в демонстрация на 3nm технология Samsung. Миналата година имаше слухове, че компанията може да инвестира 10 милиарда долара в изграждането на 3nm леярна в Тексас. Тези инвестиции са нараснали до $17 млрд. Очаква се заводът да заработи през 2024 г.
Във всеки случай най-голямата грижа при създаването на нов възел е изходът. През октомври м.г Samsung заяви, че производителността на 3nm процес „се доближава до същото ниво като 4nm процес“. Въпреки че компанията не е представила официални данни, анализаторите смятат, че 4 nm възел Samsung беше свързано с проблеми с производството.
Второ поколение 3nm възел се очаква през 2023 г., а пътната карта на компанията също включва 2nm базиран на MBCFET възел през 2025 г.
Можете да помогнете на Украйна да се бори срещу руските нашественици. Най-добрият начин да направите това е да дарите средства на въоръжените сили на Украйна чрез Savelife или през официалната страница НБУ.
Прочетете също:
- Преглед Samsung Galaxy S21 FE 5G: вече определено флагман за фенове
- Преглед Samsung Galaxy Tab S7 FE: Изненадващо интелигентен компромис