Το διαφημιστικό δεν πρόλαβε να κατασταλάξει Έκδοση SoC 10nm, όπως και Samsung ανακοίνωσε ένα ακόμη στοιχείο μελλοντικής ισχύος για κινητές συσκευές. Πρόκειται για ένα μπλοκ RAM LPDDR4, που δημιουργήθηκε με χρήση τεχνολογίας 10 nm, η οποία έχει χωρητικότητα 8 GB.

Samsung σπρώχνει 10 nm όλο και περισσότερο

Το μέγεθος του μπλοκ είναι περισσότερο από συμπαγές - 15x15x10 mm, είναι ικανό να λειτουργεί σε συχνότητα 4266 MHz και καταναλώνει την ίδια ποσότητα ενέργειας με τα μπλοκ μνήμης που χρησιμοποιούν τεχνολογία 20 nm.

Δικα τους Samsung παρουσιάστηκε πέρυσι και αποτελούνταν από δύο μοντέλα LPDDR4 - 6 GB και 12 GB. Και η μετάβαση σε μπλοκ των 8 GB και 16 GB πραγματοποιήθηκε ήδη μετά από 14 μήνες.

Πηγή: Overclock 3D