Il est prévu que Samsung annoncera le début de la production de masse de puces 3 nm la semaine prochaine, rapporte Yonhap News. Cela place la société devant TSMC, qui devrait commencer la production de puces 3 nm au second semestre de cette année.
Par rapport au processus 5 nm (qui était utilisé pour Snapdragon 888 et Exynos 2100), le nœud 3 nm de Samsung réduira la zone de 35 %, augmentera les performances de 30 % et réduira la consommation d'énergie de 50 %.
Ceci sera réalisé en passant à la conception de transistor Gate-All-Around (GAA). C'est la prochaine étape après le FinFET, car il permet de réduire la taille des transistors sans compromettre leur capacité à conduire le courant. La conception GAAFET utilisée sur le nœud 3 nm est illustrée dans la figure ci-dessous.
Le président américain Joe Biden a visité l'usine le mois dernier Samsung à Pyeongtaek pour participer à une démonstration de la technologie 3nm Samsung. L'année dernière, il y avait des rumeurs selon lesquelles la société pourrait investir 10 milliards de dollars dans la construction d'une fonderie de 3 nm au Texas. Ces investissements ont atteint 17 milliards de dollars et l'usine devrait entrer en service en 2024.
Dans tous les cas, la plus grande préoccupation lors de la création d'un nouveau nœud est la sortie. En octobre de l'année dernière Samsung a déclaré que les performances du processus 3 nm "se rapprochent du même niveau que le processus 4 nm". Bien que la société n'ait pas présenté de chiffres officiels, les analystes estiment que le nœud 4 nm Samsung était associée à des problèmes de production.
Un nœud 3 nm de deuxième génération est attendu en 2023, et la feuille de route de la société comprend également un nœud basé sur MBCFET 2 nm en 2025.
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