Се очекува дека Samsung ќе го објави почетокот на масовното производство на 3nm чипови следната недела, пренесува Yonhap News. Ова ја става компанијата пред TSMC, која се очекува да започне со производство на чипови од 3 nm во втората половина на оваа година.
Во споредба со процесот од 5 nm (кој се користеше за Snapdragon 888 и Exynos 2100), 3nm јазолот на Samsung ќе ја намали површината за 35%, ќе ги зголеми перформансите за 30% и ќе ја намали потрошувачката на енергија за 50%.
Ова ќе се постигне со префрлување на дизајн на транзистор Gate-All-Around (GAA). Тоа е следниот чекор по FinFET, бидејќи овозможува да се намали големината на транзисторите без да се загрози нивната способност да спроведуваат струја. Дизајнот GAAFET што се користи на 3nm јазолот е прикажан на сликата подолу.
Американскиот претседател Џо Бајден ја посети фабриката минатиот месец Samsung во Пјонгтаек да учествува на демонстрација на 3nm технологија Samsung. Минатата година имаше гласини дека компанијата може да инвестира 10 милијарди долари во изградба на леарница од 3 nm во Тексас. Овие инвестиции пораснаа на 17 милијарди долари.Се очекува фабриката да започне со работа во 2024 година.
Во секој случај, најголемата грижа при креирањето на нов јазол е излезот. Во октомври минатата година Samsung изјави дека перформансите на 3nm процесот се „приближуваат на истото ниво како и процесот 4nm“. Иако компанијата не претстави официјални бројки, аналитичарите веруваат дека јазолот од 4 nm Samsung беше поврзан со проблеми со производството.
Втората генерација на 3nm јазол се очекува во 2023 година, а патоказот на компанијата вклучува и 2nm MBCFET-базиран јазол во 2025 година.
Можете да и помогнете на Украина да се бори против руските напаѓачи. Најдобар начин да го направите ова е да донирате средства за вооружените сили на Украина преку Савелифе или преку официјалната страница Bвезди.
Прочитајте исто така:
- Преглед Samsung Galaxy S21 FE 5G: сега дефинитивно предводник на обожаватели
- Преглед Samsung Galaxy Tab S7 FE: Изненадувачки паметен компромис