Энэ нь хүлээгдэж байна Samsung ирэх долоо хоногт 3 нм чипийг бөөнөөр үйлдвэрлэж эхлэхээ зарлана гэж Yonhap News мэдээлэв. Энэ нь тус компанийг энэ оны хоёрдугаар хагаст 3 нм чип үйлдвэрлэж эхлэх төлөвтэй байгаа TSMC-ийг тэргүүлж байна.
5 нм процесстой харьцуулахад (Snapdragon 888 болон Exynos 2100-д ашигласан) Samsung-ийн 3 нм зангилаа нь талбайг 35%-иар багасгаж, гүйцэтгэлийг 30%-иар нэмэгдүүлж, эрчим хүчний хэрэглээг 50%-иар бууруулна.
Энэ нь Gate-All-Around (GAA) транзисторын загварт шилжих замаар хүрэх болно. Энэ нь транзисторуудын гүйдэл дамжуулах чадварыг алдагдуулахгүйгээр хэмжээг багасгах боломжийг олгодог тул FinFET-ийн дараах дараагийн алхам юм. 3нм зангилаанд ашигласан GAAFET загварыг доорх зурагт үзүүлэв.
АНУ-ын Ерөнхийлөгч Жо Байден өнгөрсөн сард үйлдвэрт зочилжээ Samsung Пёнтэк хотод 3 нм технологийн үзүүлбэрт оролцох Samsung. Өнгөрсөн жил тус компани Техас мужид 10 нм цутгах үйлдвэр барихад 3 тэрбум долларын хөрөнгө оруулалт хийж магадгүй гэсэн цуу яриа гарч байсан. Эдгээр хөрөнгө оруулалтын хэмжээ 17 тэрбум ам.долларт хүрч өсөж, үйлдвэр 2024 онд ашиглалтад орох төлөвтэй байна.
Ямар ч тохиолдолд шинэ зангилаа үүсгэхэд хамгийн их санаа зовдог зүйл бол гаралт юм. Өнгөрсөн оны аравдугаар сард Samsung 3 нм процессын гүйцэтгэл "4 нм процесстой ижил түвшинд ойртож байна" гэж мэдэгдэв. Хэдийгээр компани албан ёсны тоо баримтыг танилцуулаагүй ч шинжээчид 4 нм зангилаа гэж үзэж байна Samsung үйлдвэрлэлийн гарцын асуудалтай холбоотой байв.
Хоёр дахь үеийн 3 нм зангилаа 2023 онд гарах төлөвтэй байгаа бөгөөд компанийн замын зурагт 2 онд 2025 нм MBCFET дээр суурилсан зангилаа орно.
Та Украинд Оросын түрэмгийлэгчдийн эсрэг тэмцэхэд тусалж чадна. Үүнийг хийх хамгийн сайн арга бол Украины Зэвсэгт хүчинд мөнгө хандивлах явдал юм Амьдралыг аврах эсвэл албан ёсны хуудсаар дамжуулан NBU.
Мөн уншина уу:
- Шүүмж Samsung Galaxy S21 FE 5G: одоо мэдээж фэнүүдийн тэргүүлэгч
- Шүүмж Samsung Galaxy Tab S7 FE: Гайхалтай ухаалаг буулт