Det förväntas Samsung kommer att tillkännage starten för massproduktion av 3nm-chips nästa vecka, rapporterar Yonhap News. Detta sätter företaget före TSMC, som förväntas börja producera 3nm-chips under andra halvan av i år.
Jämfört med 5nm-processen (som användes för Snapdragon 888 och Exynos 2100) kommer Samsungs 3nm-nod att minska arean med 35 %, öka prestandan med 30 % och minska strömförbrukningen med 50 %.
Detta kommer att uppnås genom att byta till Gate-All-Around (GAA) transistordesign. Det är nästa steg efter FinFET, eftersom det gör att storleken på transistorer kan minskas utan att kompromissa med deras förmåga att leda ström. GAAFET-designen som används på 3nm-noden visas i figuren nedan.
USA:s president Joe Biden besökte fabriken förra månaden Samsung i Pyeongtaek för att delta i en demonstration av 3nm-teknik Samsung. Förra året gick det rykten om att företaget skulle investera 10 miljarder dollar i att bygga ett 3nm gjuteri i Texas. Dessa investeringar har vuxit till 17 miljarder USD. Anläggningen förväntas starta 2024.
Hur som helst är det största problemet när man skapar en ny nod utdata. I oktober förra året Samsung uppgav att prestandan för 3nm-processen "närmar sig samma nivå som 4nm-processen". Även om företaget inte har presenterat officiella siffror, tror analytiker att 4 nm noden Samsung var förknippat med produktionsproblem.
En andra generationens 3nm-nod väntas 2023, och företagets färdplan inkluderar även en 2nm MBCFET-baserad nod 2025.
Du kan hjälpa Ukraina att slåss mot de ryska inkräktarna. Det bästa sättet att göra detta är att donera medel till Ukrainas väpnade styrkor genom Rädda liv eller via den officiella sidan NBU.
Läs också:
- Recension Samsung Galaxy S21 FE 5G: nu definitivt ett flaggskepp för fans
- Recension Samsung Galaxy Tab S7 FE: En förvånansvärt smart kompromiss