预计 Samsung 据韩联社报道，三星将于下周宣布开始量产 3nm 芯片。 这使该公司领先于台积电，台积电有望在今年下半年开始生产 3nm 芯片。
相较于骁龙5和Exynos 888所采用的2100nm工艺，三星的3nm节点面积减少35%，性能提升30%，功耗降低50%。
这将通过改用环栅 (GAA) 晶体管设计来实现。 这是继 FinFET 之后的下一步，因为它允许在不影响其传导电流能力的情况下减小晶体管的尺寸。 3nm节点上使用的GAAFET设计如下图所示。
美国总统拜登上个月参观了该工厂 Samsung 在平泽参加 3nm 技术演示 Samsung. 去年，有传言称该公司可能会投资 10 亿美元在德克萨斯州建设 3nm 代工厂。 这些投资已增至 17 亿美元，该工厂预计将于 2024 年开始运营。
无论如何，创建新节点时最关心的是输出。 去年十月 Samsung 表示 3nm 工艺的性能“正在接近 4nm 工艺的同一水平”。 虽然该公司没有公布官方数据，但分析师认为 4 纳米节点 Samsung 与生产输出问题有关。
预计 3 年将推出第二代 2023nm 节点，该公司的路线图还包括 2 年推出基于 MBCFET 的 2025nm 节点。
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