Сучасні мобільні телефони стикнулися із серйозними труднощами у сфері архітектури пам’яті, і цю перешкоду неможливо усунути простим оновленням операційної системи чи програмного забезпечення. Як відомо багатьом користувачам, розробники портативних девайсів зараз активно намагаються інтегрувати великі AI-моделі безпосередньо в апаратну частину пристроїв.
Щоб дізнатись останні новини, слідкуйте за нашим каналом Google News онлайн або через застосунок.
На щастя, потужності сучасних мобільних чипсетів цілком вистачає для того, щоб забезпечувати функціонування таких великих мовних моделей у локальному режимі без залучення зовнішніх серверів. Проте наявні технології оперативної пам’яті стандарту LPDDR мають суттєві обмеження щодо швидкості, з якою вони здатні постачати необхідні інформаційні потоки до цих обчислювальних платформ. Саме з цієї причини великі обчислювальні центри, що спеціалізуються на хмарному AI, покладаються на використання архітектури HBM, яка відома як пам’ять із високою пропускною здатністю.
Читайте також: AERONAUT – про все, що літає вище землі: авіація, БПЛА та дрони, ракети та космос
Згідно зі свіжими аналітичними звітами, для розв’язання цієї гострої проблеми зараз ведеться активне проєктування абсолютно нового типу пам’яті під назвою LLW (Low Latency Wide DRAM), що розшифровується як DRAM із низьким рівнем затримки та широкою шиною. Стверджується, що під час створення LLW автори надихалися архітектурою HBM, яка демонструє колосальні швидкісні показники завдяки близькому розміщенню кількох шарів пам’яті до центрального процесора та їхньому з’єднанню за допомогою надзвичайно широкого інтерфейсу взаємодії. Результатом впровадження такого підходу стає кардинальне збільшення пропускної спроможності, яка виявляється в 10-15 разів вищою, якщо порівнювати її з можливостями найкращих сучасних модулів LPDDR.
Разом із тим, архітектура HBM потребує дуже складних інженерних рішень у питаннях компонування деталей та організації систем охолодження, що робить її використання всередині компактних корпусів смартфонів абсолютно нереалістичним. Очікується, що новий стандарт LLW зможе розібратися з цим викликом, надавши розробникам значно більшу пропускну здатність та суттєво менші затримки під час передачі даних порівняно із традиційною пам’яттю LPDDR. При цьому нова технологія не створюватиме критичних обмежень у плані виділення тепла чи дефіциту вільного простору, які зазвичай супроводжують багатошарові вертикальні конструкції мікросхем.
Попри всі оптимістичні прогнози, до подібних тверджень наразі варто ставитися з певною часткою здорового скептицизму. Уся інформація, яка зараз доступна у публічному просторі, надходить від різноманітних галузевих блогерів та авторів витоків, а не з офіційних пресрелізів чи заяв представників виробничих компаній. У контексті цього відомий інсайдер під псевдонімом Fixed Focus Digital ділиться відомостями, що впровадження LLW дозволить приблизно вдвічі знизити рівень витрат електричної енергії, водночас підвищивши загальні показники швидкодії орієнтовно в 1,5 раза.
Щодо термінів появи цієї технології на комерційному ринку, то згадане джерело вказує на те, що до моменту масового розгортання та широкої інтеграції LLW у споживчу електроніку мине ще кілька років. Якщо говорити конкретніше, то очікувати на масштабну появу нових чипів у готових пристроях слід не раніше другої половини 2027 року. Серед потенційних першопрохідців, які першими візьмуть на озброєння цю технологію, інсайдери виділяють компанії Xiaomi та Huawei. Попри такі чутки, жодне з цих підприємств на офіційному рівні поки що не брало участі у публічних обговореннях згаданого стандарту пам’яті.
Читайте також:
- Ефектний камбек Commodore: Представлено телефон-розкладачку Callback 8020 без браузерів та реклами
- Все про Project Helix: Остання ставка Xbox або вихід з кризи пам’яті