Samsung анонсувала флешпам’ять наступного покоління UFS 5.0, що ознаменувало собою суттєвий крок у розвитку технологій мобільного зберігання даних. Ця свіжа розробка проєктувалася з орієнтиром на майбутні гаджети з підтримкою інтелектуальних функцій, а її головна мета полягає в оптимізації процесів локальної обробки великих масивів інформації всередині смартфонів, носимих пристроїв та інших підключених до Мережі продуктів.
Щоб дізнатись останні новини, слідкуйте за нашим каналом Google News онлайн або через застосунок.
Як запевняє Samsung, новий стандарт UFS 5.0 забезпечує кардинальне зростання продуктивності порівняно з актуальним поколінням накопичувачів. Корпорація заявляє про досягнення показників послідовного читання на рівні до 10,8 Гбайт/с та послідовного запису в межах до 9,5 Гбайт/с, завдяки чому цей апаратний компонент став найшвидшим серед усіх презентованих донині рішень типу UFS. Зазначені швидкісні параметри більш ніж удвічі перевищують можливості, які демонструвала фірмова технологія UFS 4.1.
Читайте також: AERONAUT – про все, що літає вище землі: авіація, БПЛА та дрони, ракети та космос
Очікується, що підвищення швидкості функціонування сховища позитивно вплине на виконання AI-операцій безпосередньо на самих пристроях, зокрема на роботу з великими мовними моделями та інструментами генеративного AI. Оскільки дедалі більша частина обчислювальних процесів AI переноситься із хмарних серверів на мобільні телефони та іншу персональну електроніку, продуктивність постійного накопичувача набуває критично важливого значення задля мінімізації затримок та підвищення загальної чуйності системи.
Представники Samsung зазначають, що архітектура презентованого рішення спирається на найсучасніші специфікації інтерфейсів постійної пам’яті, затверджені комітетом JEDEC. Збільшена пропускна здатність дозволяє портативній техніці переміщувати та аналізувати масштабні бази даних із набагато вищою швидкістю, що на практиці забезпечить швидший відгук AI-інструментів та безперешкодне перемикання в режимі багатозадачності.
Окрім нарощування швидкісних показників, інженери Samsung приділили значну увагу параметрам енергоефективності. За даними розробників, пам’ять UFS 5.0 демонструє покращення показників споживання енергії на понад 40% порівняно зі специфікацією UFS 4.1. Такого результату вдалося досягти завдяки інтеграції методів стробування тактових сигналів та реалізації принципу роботи з кількома рівнями напруги, що дозволяє гаджетам здійснювати високошвидкісну передачу інформації з меншими витратами заряду акумулятора.
Фізичні габарити самого чипа пам’яті становлять 7,5×13×0,9 мм, що робить його приблизно на 16,7% компактнішим за модуль попередньої генерації. Подібне зменшення займаної площі дозволяє звільнити корисний внутрішній простір для інтеграції інших конструктивних елементів і може стати в пригоді під час проєктування смартфонів, гарнітур змішаної реальності XR, а також орієнтованих на роботу з носимих AI-аксесуарів.
Samsung має намір запустити повномасштабне серійне виробництво напівпровідникових виробів UFS 5.0 у четвертому кварталі 2026 року, при цьому максимальна місткість накопичувачів сягатиме 1 ТБ. Керівництво компанії прогнозує широке впровадження цієї технології в різноманітних пристроях майбутнього покоління на тлі безперервного зростання споживчого попиту на прогресивні локальні можливості AI.
Читайте також:
- Відеоогляд ігрового монітора Samsung Odyssey G7 G70F
- Огляд Samsung Galaxy Buds4 Pro: Гідні флагманські навушники, та чи для всіх?