Компанія Samsung Electronics представила графічні чипи останнього покоління Graphics Double Data Rate 7 або GDDR7. Виробник обіцяє найвищу в індустрії швидкість і кращу енергоефективність, а перші партнери отримають чипи для тестування вже цього року.
За словами Samsung, нові модулі пам’яті GDDR7 (16 Гб або 2 Гб на чип) покращують пропускну здатність на 40%, забезпечуючи вражаючі 1,5 Тб/с і 32 Гб/с на контакт. Для порівняння, мікросхеми GDDR6, анонсовані Samsung минулого року (все ще доступні у вигляді зразків), досягають 1,1 ТБ/с.
Покращення швидкості стало можливим завдяки методу сигналізації Pulse Amplitude Modulation-3 (PAM3) замість методу без повернення до нуля (NRZ), який використовувався в попередньому поколінні. Samsung стверджує, що PAM3 забезпечує передачу на 50% більше даних, ніж NRZ, за той самий цикл сигналізації.
Крім підвищення швидкості та продуктивності, пам’ять GDDR7 від Sаmsung знижує енергоспоживання та забезпечує 20% підвищення енергоефективності завдяки “енергозберігаючій технології дизайну, оптимізованій для високошвидкісних операцій”. Виробники також матимуть можливість оснащувати свої пристрої (ноутбуки або планшети) низьковольтною пам’яттю. Проте, точних даних про напругу від Samsung поки що немає, тож очікуйте більше деталей у майбутньому.
Нарешті, Sаmsung заявляє, що її пам’ять GDDR7 має епоксидну формувальну суміш (EMC) з високою теплопровідністю для поліпшення розсіювання тепла і забезпечення стабільної роботи під час інтенсивних високошвидкісних операцій. Не секрет, наскільки гарячими можуть бути мікросхеми пам’яті GDDR6, тому GDDR7 повинна покращити цей показник завдяки зниженому тепловому опору корпусу на 70% порівняно з GDDR6.
Читайте також: