Південнокорейська корпорація Samsung наближається до реалізації своєї мети зі створення 1000-шарової архітектури V-NAND. Компанія успішно розробила дебютний дослідний зразок із 900 шарами, готуючись до інтенсивного суперництва з конкурентами.
Щоб дізнатись останні новини, слідкуйте за нашим каналом Google News онлайн або через застосунок.
Samsung вважається першопрохідцем у сфері напівпровідникових пристроїв зберігання даних. Її технологічні рішення V-NAND визнані одними з найефективніших на глобальному ринку. Ще у 2024 році цей виробник мав намір випустити 1000-шарову пам’ять NAND, застосувавши інноваційні сегнетоелектричні матеріали.
Читайте також: AERONAUT – про все, що літає вище землі: авіація, БПЛА та дрони, ракети та космос
Як повідомляє видання ETNews, розробникам вдалося створити першу 900-шарову структуру V-NAND завдяки впровадженню методу Cell Multi-Bonding (CMB). Ця технологія дозволяє інтегрувати два блоки по 450 шарів в єдиний компонент. Освоєння такого обсягу шарів забезпечить суттєве нарощування місткості накопичувачів, зокрема SSD, які активно використовуються в усіх сферах комп’ютерної індустрії – від корпоративних та клієнтських систем до серверного обладнання, стаціонарних комп’ютерів, ноутбуків і мобільних телефонів.
Представники напівпровідникового сектору повідомили, що нещодавно Samsung Electronics спроєктувала інтегровану систему V-NAND класу 900 шарів. Для цього було застосовано згаданий метод CMB, що дозволяє сполучати дві 450-шарові кремнієві пластини в одну конструкцію.
На шляху до досягнення рекордного показника інженерам довелося подолати кілька серйозних технічних викликів, серед яких ключовою проблемою була деформація пластин. Цю перешкоду вдалося усунути завдяки впровадженню особливої конструкції верхнього затискного патрона. Крім того, за допомогою технологій корекції суміщення розробники ліквідували помилки, пов’язані зі зміщенням елементів.
На поточному етапі лідерські позиції в цих перегонах утримує SK Hynix, яка першою створила та вивела на ринок 321-шарову архітектуру NAND. Зараз уже ведуться розробки над 400-шаровими рішеннями, де Samsung планує застосовувати метод вертикального з’єднання, а її опонент SK Hynix – гібридне з’єднання.
Водночас китайський виробник YMTC також прискорює реалізацію власних планів у сегменті NAND. Ця компанія вже випускає пристрої на 294 та 232 шари, скорочуючи відставання від іноземних конкурентів, таких як Samsung, SK Hynix та Micron. YMTC спрямовує значні інвестиції в будівництво нових фабрик, що дозволить подвоїти поточні обсяги випуску кремнієвих пластин у критичний момент, коли на ринку спостерігається суттєвий дисбаланс між попитом і пропозицією, спричинений стрімким розвитком індустрії AI.
Метод пошарового компонування для формування структур понад 900 рівнів поки що перебуває в статусі прототипу, проте він визначає вектор розвитку майбутнього збільшення місткості систем зберігання даних. Поява 1000-шарової архітектури V-NAND запланована на 2030 рік, тоді як рішення з понад 400 шарами мають надійти у виробництво протягом найближчих років.
Читайте також:
- Відеоогляд ігрового монітора Samsung Odyssey G7 G70F
- Огляд Samsung Galaxy Buds4 Pro: Гідні флагманські навушники, та чи для всіх?