Для массового сегмента рынка планшетов и смартфонов компания Samsung анонсировала новые высокопроизводительные микросхемы памяти объемом 128 ГБ, которые соответствуют стандарту Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Память eMMC 5.0 имеет 8 уровней заряда (3 бита) на каждую ячейку.
Флагманские смартфоны постепенно переходят на микросхемы памяти UFS 2.0 или eMMC 5.1 объемом 128 ГБ, в моделях среднего ценового сегмента теперь объем памяти может быть также повышен до тех же 128 ГБ. 3-битная флэш-память eMMC 5.0 объемом 128 ГБ способна ускорить этот переход, поскольку, по словам компании, является памятью eMMC 5.0 с самой высокой плотностью на рынке.
Данные микросхемы памяти в режиме последовательного чтения обеспечивают скорость 260 МБ/с, что соответствует скоростным характеристикам флэш-памяти eMMC 5.1 типа MLC NAND. Производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения и записи заявлена на уровне 6000 и 5000 IOPS соответственно, что достаточно для обработки видео высокой четкости и поддержки продвинутых функций многозадачности. По показателям производительности новые микросхемы памяти Samsung вчетверо на чтении и вдесятеро на записи превосходят стандартные внешние карты памяти.
О сроках начала массового производства и появления первых устройств с использованием данных модулей флэш-памяти пока ничего не известно.